三星电子决定借助台积电的制造技术，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）的关键部件——基底裸片（base die），这一消息由首尔经济日报于10月18日报道。此前，三星供应的所有HBM产品中，作为存储核心的核心裸片（core die）和作为系统半导体的基底裸片，均由三星自行生产。如今，三星顺应英伟达的技术要求，调整了HBM的一体化全包生产模式。

业内知情人士在18日透露，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：采用台积电的3纳米工艺来制造基底裸片。英伟达还要求核心裸片统一使用代号1c的第六代DRAM技术。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构设计，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。

根据报道，英伟达提出此要求，是因为各HBM供应商的制造方案存在差异，难以基于同一设计实现稳定一致的性能。标准化还能减少针对每家供应商单独进行产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受英伟达的要求。

报道指出，对于标准HBM产品，三星将继续采用一体化全包生产策略。今年，三星在全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片均使用三星自研的4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。

面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续使用一体化全包生产方案。同时，三星保留了在自家晶圆厂研发和生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示：“三星正在验证，是否能在自有产线上制造NVHBM基底裸片。这作为一项预案，以防NVHBM需求超出台积电的产能上限。”